Керамические подложки и корпуса

Этап освоения: Серийное производство, Разработка, опытные образцы

Область применения: Силовые модули, Светодиоды, Микросборки

ЗАО «НЭВЗ-КЕРАМИКС» выпускает керамические подложки (в т.ч. металлизированные) на основе алюмооксидной (Al₂O₃) и алюмонитридной (AlN) керамики, которые используются в электронной и электротехнической областях промышленности. Компания разрабатывает и осваивает:

- корпуса и носители светодиодных чипов;
- сырую ленту, изготовленную по LTCC и HTCC технологии (с содержанием Al₂O₃ 96-100%);
- полированные подложки с содержанием Al₂O₃ 99,8%.

Области применения керамических подложек:

- производство корпусов и носителей светодиодных чипов;
- производство монолитных интегральных схем, микросборок;
- производство высоконадежных термоэлектрических элементов Пельтье;
- производство коммутационных микрополосковых плат полупроводниковых приборов;
- производство теплопроводящих изоляторов, систем охлаждения;
- производство прецизионных резисторов;
- производство толстопленочных нагревателей.

Основные физические параметры выпускаемых подложек:

- максимальные размеры подложек - 165×165 мм;
- толщина подложек – от 0,25 до 3,0 мм;
- форма подложек – произвольная, определяется потребителем;
- возможное количество слоев – до 40.

Металлизированные покрытия поверхности подложек:

Металлизированные покрытия обеспечивают возможность пайки твердыми припоями. Варианты наносимых металлизированных покрытий: Никель(Ni), Медь (Cu), Серебро (Ag), Золото(Au), Палладий-Серебро (Pd-Ag), Палладий-Золото (Pd-Au).

Покрытия наносятся как на металлизированный подслой, так и непосредственно на керамику. Возможны следующие варианты металлизационного подслоя: Молибден-Марганец (Mo-Mn), Вольфрам (W).

Керамика Алюмооксидная Al₂O₃

Физико-механические параметры
Содержание оксида алюминия	≥96%
Цвет	белый
Плотность, г/см³	≥3,72
Прочность на изгиб (20°C), МПа	≥300
Модуль упругости (20°C), ГПа	330
Прочность на сжатие, МПа	2100
Твердость, кг/мм²	14÷15
Теплопроводность (20°C), Вт/м∙°K	24,7
Коэффициент теплового расширения (25-1000°C), 1x10^-6/°C	8,2
Электрическая прочность, кВ/мм	≥14÷15
Диэлектрическая проницаемость (1МГц, 25°C)	9,0
Диэлектрические потери (тангенс дельта) (1МГц, 25°C)	0,0002
Объемное удельное сопротивление (20°C), Ом∙см	≥10¹⁴

Керамика Алюмонитридная AlN

Физико-механические параметры
Содержание AlN ≥ 98%	≥98
Цвет	серый
Плотность, г/см³	3,30
Прочность на изгиб (20°C), МПа	260
Модуль упругости (20°C), ГПа	320
Твердость, кг/мм²	1110
Вязкость разрушения, МПа∙м^1/2	3,1
Теплопроводность (от 20 до 100°C), Вт/м∙K	180-220
Коэффициент теплового расширения (25-1000°C), 1x10^-6/°C	6,2
Диэлектрические потери (1МГц, 25°C)	0,0003
Диэлектрическая проницаемость (1МГц, 25°C)	8,7
Объемное удельное сопротивление (20°C), Ом∙см	10¹⁵
электрическая прочность, кВ/мм	14÷15

Для улучшения теплопроводности, удельного электрического сопротивления и прочностных характеристик керамических подложек на предприятии используются технологии введения в состав керамической композиции модифицированных Al₂O₃ и AlN-нанопорошков и армирования Al₂O₃-нановолокнами

Наименование продукции	Этап освоения	Область применения
Al₂O₃	Серийное производство	Силовые модули (преобразовательная техника, силовая электроника)
AlN	Разработка, опытные образцы
Корпуса и носители светодиодных чипов	Разработка, опытные образцы
DBC	Освоение производства, проведение испытаний
Сырая лента, изготовленная по HTCC-технологии	Освоение производства, проведение испытаний	Светодиоды (Энергосберегающие технологии)
Сырая лента, изготовленная по LTCC-технологии	Освоение производства, проведение испытаний	Микросборки (радиолокация, СВЧ-техника, средства связи), корпуса полупроводниковых приборов и ИМС